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时间：2021/1/27阅读：4694 关键词：MOS场效应管
超级结MOS场效应管如何让辐射降低并提高效率
超级结可在平面MOS场效应管应用中提高效率,并可降低导通电阻 和寄生电容,但会产生电压dv/dt 和电流di/dt快速开关转换,形成高频噪声 和辐射EMI。
快速开关超级结MOS场效应管要被驱动,要了解封装 和PCB布局寄生效影响开关性能,
应用超级结所做PCB布局调整。
使用超级结MOS场效应管击穿电压=500-600V
如下图所示
典型引线电感=10 nH,即可让MOS场效应管di/dt=500 A/μs
若：di/dt=500A/μs,10nH引线电感上电压VIND = 5 V
10nH引线电感关断di/dt=1,000 A /μs,产生电压VIND = 10 V
注意：附加电感产生 的电压不可忽视；
封装总源极电感,绑定线 和引脚电感要降低,到可接受数值。
布局寄生效应产生 的噪声
可见布局寄生效应：寄生电感+寄生电容
1 cm走线电感=6-10 nH
在PCB顶部 和底部各添加GND层,电感值即可降低；
如上图b,布局中容性寄生效应原理
寄生电容引起：两条相近走线或走线间与另一侧地平面间。
第二种电容：为元件 和地平面间电容。
PCB 板两面：两 个并行走线可增加电容+减少回路电感,即可减少电磁噪声辐射。
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