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时间：2020/3/4阅读：1976 关键词：MOS管
英飞凌通过应对现代电源管理设计 的挑战,专注 于系统创新 和组件级增强。源头在 于新 的行业标准包装理念。在这 个新 的封装中推出 的第一波功率MOS管是PQFN 3.3x3.3mm中 的OptiMOS TM 25v。
该电子元器件在MOS管性能方面树立了一 个新 的行业基准,降低了状态电阻（R DS（on））并为市场提供了优越 的热管理能力。该产品非常适合广泛 的应用,如驱动器、SMPS（包括服务器、电信 和/或ing） 和电池管理。
新 的封装概念将源电势（而不是漏电势）连接到热垫。除了启用新 的PCB布局可能性,这有助 于实现更高 的功率密度 和性能。
发布了两 个不同 的封装版本：PQFN 3.3x3.3mm封装中 的源下标准门 和源下中心门。源下位标准栅极封装基 于当前 的PQFN 3.3x3.3 mm引脚配置。
电气连接 的位置保持不变,简化了用新 的电源下降包替换当今标准 的下降包 的过程。对 于中心栅极版本,栅极引脚移动到中心,以支持多 个MOS管 的简单并行配置。
由 于其较大 的漏源爬电距离,可以在一 个PCB层上连接多 个器件 的栅极。此外,将栅极连接移动到中心会导致更宽 的源区,以改进设备 的电气连接
这项技术革新使研发投入比现有技术大幅度减少30%。与目前 的PQFN封装相比,结-壳之间 的热阻（R-thJC）也有了显著 的提高。减少寄生,提高印刷电路板 的损耗,以及优越 的热性能,增加了任何当代工程设计 的重要价值。
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